Journal des nanomatériaux et de la nanotechnologie moléculaire

Croissance de graphène multicouche par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et caractérisations

Dutta D, Hazra A, Das J, Hazra SK, Lakshmi VN, Sinha SK, Gianoncelli A, Sarkar CK et Basu S

Croissance de graphène multicouche par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et caractérisations

Le graphène avec la configuration nanostructurée s'est avéré être un matériau potentiel pour ses applications polyvalentes dans différents domaines de la science et de la technologie. La croissance de graphène monocouche est un véritable défi, mais récemment, le graphène en quelques couches et multicouches s'est également révélé très utile. Dans la présente étude, la méthode CVD thermique a été utilisée pour faire croître un film mince de graphène multicouche par la décomposition du méthane (CH4) mélangé à de l'hydrogène de haute pureté dans le rapport CH4:H2:N2=15:5:300 (en SCCM) à 1000°C et à pression atmosphérique en utilisant un film catalytique de cuivre (Cu) déposé sur un substrat de silicium oxydé thermiquement.