Journal de génie électrique et de technologie électronique

Étude des gaz électroniques bidimensionnels pour l'hétérostructure à base de GaN

Rahman MS, Babuya SK, Mahfuz MA, Siddiki FBT et Mahmood ZH

La densité des porteurs de feuille de gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) est étudiée pour les hétérostructures AlGaN/GaN, AlN/GaN et InGaN/GaN à l'aide d'un simulateur d'équation de Schrödinger-Poisson auto-cohérent. La simulation prend également en compte la physique sous-jacente aux caractéristiques de la nature de la densité 2DEG. La dépendance de la densité 2DEG sur la composition de l'alliage, l'épaisseur de la couche de canal et le changement de tension de grille sont étudiés dans le processus. Cette simulation affiche la comparaison de la densité des porteurs de feuille 2DEG entre différentes hétérostructures. La densité maximale des porteurs de feuille 2DEG obtenue pour AlGaN/GaN est de 1,76×10 ¹³ cm ^-2 , pour AlN/GaN de 2,16×10 ¹³ cm ^-2 et pour InGaN/GaN de 1,82×10 ¹³ cm ^-2 sans aucune tension de polarisation.